PMZ350XN T/R

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

PMZ350XN T/R datasheet

• Маркировка
  PMZ350XN T/R
• Производитель
  NXP Semiconductors
• Описание
  NXP Semiconductors PMZ350XN T/R Configuration: Single Continuous Drain Current: 1.87 A Drain-source Breakdown Voltage: 30 V Factory Pack Quantity: 10000 Fall Time: 5.5 ns Gate-source Breakdown Voltage: +/- 12 V Maximum Operating Temperature: + 150 C Minimum Operating Temperature: - 55 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SC-101 Part # Aliases: PMZ350XN,315 Power Dissipation: 2.5 W Product Category: MOSFET Resistance Drain-source Rds (on): 0.42 Ohms Rise Time: 9.5 ns Rohs: yes Transistor Polarity: N-Channel Typical Turn-off Delay Time: 14 ns
• Количество страниц
  13 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet PMZ350XN T/R.pdf
Файл формата Pdf 88,57 KB